17:15 〜 17:30 △ [18p-N302-16] MOS-HEMTの破壊電圧近傍におけるリーク電流評価 〇(M2)西谷 高至1、神谷 俊佑1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大院工)