11:30 〜 11:45 [19a-E310-10] AlGaN/GaInN/GaNヘテロ電界効果トランジスタ型可視光センサの応答特性 〇(M1)藤嶋 遼1、坂田 芽久美1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)