14:30 〜 14:45 △ [19p-E313-5] Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究 〇(M2)斎藤 慎吾1、佐野 雄一1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1、中川 清和1 (1.山梨大学)