11:45 〜 12:00 △ [20a-E301-11] Al2O3/AlGaN/GaN MIS構造の電気的特性におけるALD原料の影響 〇(M2)東 雅人1、上沼 睦典1、吉嗣 晃治2、柳生 栄治2、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.三菱電機(株))