17:30 〜 17:45 [20p-E311-15] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響 〇(M1)楢原 拓真1,2、佐藤 真一郎2、児島 一聡3、山﨑 雄一2、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大学、2.量研、3.産総研)