一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス
09:00 〜 09:15
〇柳原 邦俊1、三浦 登1 (1.明治大)
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09:15 〜 09:30
〇柳原 邦俊1、村上 健太1、三浦 登1 (1.明治大)
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09:30 〜 09:45
〇(M1)中村 励志1,2、藤川 紗千恵3、前田 哲利1、遠藤 聡2、藤代 博記2、平山 秀樹1 (1.理化学研究所、2.東京理科大学、3.東京電気大学)
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09:45 〜 10:00
〇(M2)飯田 涼介1、村永 亘1、上島 佑介1、岩山 章1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大、2.名古屋大)
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10:00 〜 10:15
〇小田原 麻人1、不破 綾太1、清原 一樹1、岩山 章1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1、赤崎 勇1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター)
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10:15 〜 10:30
〇(D)Hameeda Ibrahim1,2、Fumio Koyama1、M Ahmed2 (1.Tokyo Institute of Technology、2.Minia University, Egypt)
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10:30 〜 10:45
〇(D)Ahmed MohamedAhmed Hassan1、M. Ahmed2、M Nakahama、F Koyama (1.Tokyo tech.、2.El-Menia Univ.)
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10:45 〜 11:00
〇橋本 玲1、岡田 直忠1、角野 努1、山本 雄一郎1、金子 桂1、斎藤 真司1、迫田 和彰2 (1.東芝生産技術センター、2.物質・材料研究機構)
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11:00 〜 11:15
〇角野 努1、橋本 玲1、金子 桂1、高木 茂行2、斎藤 真司1 (1.東芝生産技術センター、2.東京工科大)
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11:15 〜 11:30
〇斎藤 真司1、角野 努1、金子 桂1、橋本 玲1、山本 雄一郎1、岡田 直忠1、迫田 和彰2 (1.東芝 生産技術センター、2.物質・材料研究機構)
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11:30 〜 11:45
〇村上 史和1、芹田 和則1、村上 博成1、Dalipi Rea1、Urbas A.2、Materna A.3、Buza M.3、Pawlak D.3、斗内 政吉1、川山 巌1 (1.阪大レーザー研、2.AFRL, USA、3.ITME, Poland)
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11:45 〜 12:00
〇金崎 順一1、山本 勇2、東 純平2、深津 晋3、Sjakste Jelena4、Vast Nathalie4 (1.大阪市大院工、2.佐賀大、3.東大院総合文化、4.Ecole Polytechnique)
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12:00 〜 12:15
〇大原 欣也1、西部 壮眞1、松末 俊夫1、坂東 弘之1 (1.千葉大院・融合理工)
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