一般セッション(口頭講演)
3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料
09:00 〜 09:15
〇遠藤 雅守1、安松 優太1、伊與田 充優1、ビソン ジャンフランソワ2、増田 泰造3 (1.東海大理、2.モンクトン大(カナダ)、3.トヨタ自動車)
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09:15 〜 09:30
〇梶川 詠司1、石井 知広1、小川 和彦2、武者 満1 (1.電通大レーザー研、2.ファイバーラボ株式会社)
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09:30 〜 09:45
〇渡邉 建太1、周 英2、斎藤 毅2、榊原 陽一2、西澤 典彦1 (1.名大院工、2.産総研)
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09:45 〜 10:00
〇(M1)川村 朋稔1、白川 晃1 (1.電通大レーザー研)
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10:00 〜 10:15
〇(D)西浦 匡則1,2、塩田 達俊1 (1.埼大理工、2.セブンシックス)
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10:30 〜 10:45
〇(D)木村 祥太1、谷 峻太郎1、小林 洋平1 (1.東大物性研)
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10:45 〜 11:00
〇今村 陸1、鈴木 S. L. P. 智生1、藤井 瞬1、石田 蘭丸1、田邉 孝純1 (1.慶應理工電子)
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11:00 〜 11:15
〇(M2)長谷川 クルミ1、川上 言美2、岡村 秀樹1 (1.国際基督教大学、2.北里大学)
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11:15 〜 11:30
〇チューン ホアンアン1、佐藤 和夫1、横山 弘之1 (1.NICHe, Tohoku Univ.)
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