09:00 〜 09:15
[18a-B11-1] VO2の電圧誘起-金属絶縁体転移における熱暴走の役割
キーワード:ジュール熱、揮発的抵抗変化
電圧によって引き起こされるVO2の金属絶縁体転移において、その臨界電圧は環境温度によって大きく変化するが、臨界電流は大きく変化しない。従ってこの臨界電流に着目すれば、VO2を転移点近傍でも「温度安定」な素子として利用することができる。本研究では、この現象の起源が、金属絶縁体転移そのものではなく、ジュール熱による熱暴走にあることを明らかにした。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術
2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 B11 (B11)
齋藤 真澄(東芝メモリ)
09:00 〜 09:15
キーワード:ジュール熱、揮発的抵抗変化