2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[18a-B11-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 B11 (B11)

齋藤 真澄(東芝メモリ)

09:00 〜 09:15

[18a-B11-1] VO2の電圧誘起-金属絶縁体転移における熱暴走の役割

矢嶋 赳彬1,2、西村 知紀1、田中 貴久1、内田 建1、鳥海 明1 (1.東大、2.JSTさきがけ)

キーワード:ジュール熱、揮発的抵抗変化

電圧によって引き起こされるVO2の金属絶縁体転移において、その臨界電圧は環境温度によって大きく変化するが、臨界電流は大きく変化しない。従ってこの臨界電流に着目すれば、VO2を転移点近傍でも「温度安定」な素子として利用することができる。本研究では、この現象の起源が、金属絶縁体転移そのものではなく、ジュール熱による熱暴走にあることを明らかにした。