[18a-B11-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[18a-B11-3] Driver-Transistor Scaling for Memory with Asymmetric Source/Drain Structure Suppressing Variation in Threshold Voltage

〇Kazuya Fukase¹, Minoru Oda¹, Toshitaka Miyata¹, Hiroki Okamoto¹, Akira Hokazono¹, Isamu Ito¹, Masato Koyama¹ (1.Toshiba Memory)

Keywords:Asymmetry transistor

半導体メモリにおいて、チップあたりのコストを低下させるためにはメモリセルの微細化に併せ、メモリ向け駆動トランジスタの縮小が重要となる。本研究では、メモリ向け駆動トランジスタとしてSource/Drain非対称トランジスタを提案し、閾値ばらつきとドレイン耐圧を考慮しながら、ゲート長縮小が可能であるかを検討した。