[18a-B31-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [18a-B31-2] 第一原理計算によるGaPN混晶中の窒素－IV族ドーパント結合に関する検討

〇牧 唯人¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：III-V-N混晶、第一原理計算、ドーパント

GaP系III-V-N混晶におけるn型ドーパントは、Si，SeまたはTeが一般的である。いずれの元素でも生じるN組成増加に伴うキャリア濃度低下という問題に対し、我々はGaPN:GeやGaAsPN:Geの導電性制御を試み、新規n型ドーパントとしてのGeの有効性を実験的に確認した。本研究ではGaPN:Geを対象に、第一原理計算を用いた窒素－ドーパント結合に関する解析を行った。その結果、実験的事実と理論的解析の双方から、Geが有望なドーパントであることが確認できた。