[18a-B31-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-B31-3] GaNAsナノワイヤの窒素導入量による結晶欠陥の変化

〇藤原 亮¹、行宗 詳規¹、石川 史太郎¹ (1.愛媛大工)

キーワード：ナノワイヤ