[18a-B31-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-B31-6] InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価

〇米野 龍司¹、宮下 直也²、岡田 至崇²、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大理工、2.東大先端研)

キーワード：中間バンド型太陽電池、超格子、InGaAsN

Ⅲ-Ⅴ族窒化物混晶はE+およびE-と呼ばれる伝導帯サブバンドを形成する特異なバンド構造を有することから中間バンド型太陽電池(IBSC)の吸層材料として期待されている。そこでGaAs基板に格子整合するInGaAs:N δドープ超格子(SL)を作製した。SL構造は6nmのIn_0.03Ga_0.97Asの成長と成長中断中の窒素プラズマ照射を繰り返し成長した。作製した試料は熱アニール処理をした後、Hall測定により電子濃度と電子移動度を算出し、熱アニールや構造による変化を考察した。