[18a-B31-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-B31-7] (111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光

〇高岡 祥平¹、高宮 健吾¹、八木 修平¹、挟間 優治²、秋山 英文²、矢口 裕之¹ (1.埼玉大理工、2.東京大物性研)

キーワード：等電子トラップ、励起子分子発光

量子情報技術の分野において重要な役割を果たす量子もつれ光子対を生成するために半導体中の励起子分子の利用が考えられている。我々はGaAsに窒素をドーピングすることで形成される単一の等電子トラップによる励起子分子発光に着目して研究を行っている。今回は、(111)基板上に作製した窒素 ドープGaAs中の単一等電子トラップからの励起子分子発光の観測に成功したので報告する。