[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-C212-7] 熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算

〇佐藤 亮平¹、高倉 俊彦²、伊藤 一夫²、更屋 拓哉²、平本 俊郎²、柿本 浩一^1,3、西澤 伸一^1,3 (1.九大院工、2.東大生研、3.九大応力研)

キーワード：半導体、熱処理、転位

縦型熱処理炉を対象として, 熱負荷工程でのSi基板中の転位挙動の数値解析を行った. 縦型熱処理炉内の熱輸送計算から求めたウェハ内温度分布をもとに, 3次元転位増殖計算を行った. 昇温速度, 降温速度を上げることで, 熱負荷工程後の転位密度が増加することが分かった. また, ウェハ支持方法により転位密度増殖効果が大きく異なることが分かった. いずれも, ウェハ内に発生する温度分布に起因する熱応力, および自重・保持点に起因する機械的応力の大きさ, 分布に対応している.