[18a-C310-1~10] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [18a-C310-10] 光励起多探針技術による単層WSe₂/MoSe₂面内ヘテロ構造の光応答計測

〇茂木 裕幸¹、汪 子涵¹、番場 隆文¹、髙口 裕平²、遠藤 尚彦²、吉田 昭二¹、谷中 淳¹、大井川 治宏¹、宮田 耕充²、武内 修¹、重川 秀実¹ (1.筑波大数理、2.首都大東京)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、多探針技術、光キャリアダイナミクス

MoSe₂等の遷移金属ダイカルコゲナイド単層半導体は、二次元光デバイス材料として注目される。発表者らは、世界で初めてフェムト秒パルスレーザーシステムと多探針STM装置を組み合わせることに成功し、SiO₂基板上の単層WSe₂/MoSe₂面内ヘテロ構造のバンド構造評価と光キャリアダイナミクス計測を行った。任意の位置へ探針接触と光照射を可能にする本手法は、今後の二次元デバイス開発において重要となる。