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△ [18a-C310-5] 絶縁膜付き探針を用いた層状半導体のSNDM観察
キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、半導体、二硫化モリブデン
走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いた半導体のキャリア分布観察では導電性探針と試料表面の酸化膜および半導体でMIS構造が形成されることが前提とされてきた．本研究では，自然酸化膜を形成しない試料についてもMIS構造を形成可能な絶縁膜付き探針を開発した．本報告では，自然酸化膜を形成しない層状半導体であるMoS2のキャリア分布を絶縁膜付き探針を用いてSNDMにより観察した結果について報告する．