[18a-E206-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [18a-E206-6] 新規三元系窒化物半導体Mg-Sn-Nの成膜と物性評価

〇松浦 健太¹、川村 史朗²、井村 将隆²、村田 秀信³、谷口 尚²、山田 直臣¹ (1.中部大院工、2.物質・材料研究機構、3.大阪府大院工)

キーワード：三元系窒化物半導体、MgSnN2、岩塩型構造