[18a-E303-1~12] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[18a-E303-4] Chemical etching of silicon assisted by graphene oxide in HF-HNO₃

〇Wataru Kubota¹, Toru Utsunomiya¹, Takashi Ichii¹, Hiroyuki Sugimura¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:silicon, graphene oxide, etching

シリコン表面微細加工技術の一つである貴金属援用エッチングが高い結晶性を持つSiナノ構造体形成方法として注目されている．当研究室では貴金属の代替材料として，酸化グラフェンに着目し，フッ酸と過酸化水素をエッチング液として用いたGOアシストエッチングに成功した本研究ではエッチング液の酸化剤として硝酸(HNO₃)の利用を検討し，エッチング速度の向上を達成したので報告する．