2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-E303-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:15 E303 (E303)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)

09:45 〜 10:00

[18a-E303-4] HF-HNO3エッチング液を用いた酸化グラフェンアシストシリコンエッチング

窪田 航1、宇都宮 徹1、一井 崇1、杉村 博之1 (1.京大院工)

キーワード:シリコン、酸化グラフェン、エッチング

シリコン表面微細加工技術の一つである貴金属援用エッチングが高い結晶性を持つSiナノ構造体形成方法として注目されている.当研究室では貴金属の代替材料として,酸化グラフェンに着目し,フッ酸と過酸化水素をエッチング液として用いたGOアシストエッチングに成功した本研究ではエッチング液の酸化剤として硝酸(HNO3)の利用を検討し,エッチング速度の向上を達成したので報告する.