[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18a-E304-6] µCLBS結晶Si帯へ形成された薄膜トランジスタの特性分布評価

〇葉 文昌¹、平末 充紀¹、土屋 敏章¹ (1.島根大総理工)

キーワード：レーザーアニール、シリコン、薄膜トランジスタ

µCLBS法により得られた結晶Si帯上にスパッタSiO₂をゲート絶縁膜に使ったn-TFTを形成し，一本の結晶Si帯上の25個のTFTの特性分布を調べた。結晶Si帯中央での主な結晶粒界は双晶粒界で，両端にはラテラル結晶粒によるランダム粒界が存在した。キャップ膜は使用しなかったために結晶方位は成長しながら0.009 µm^-1で回転するランダムな結晶方位を持った結晶Si帯であった。得られたTFTの最大と平均電界効果移動度はそれぞれ430cm2/Vsと248cm2/Vs，標準偏差は93.5cm2/Vsであった。均一性が損なわれた原因は，ランダムな結晶方位と双晶粒界が考えられる。