[18a-E304-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [18a-E304-9] [Highlight] Direct synthesis of high hole mobility (670 cm²/Vs) Ge thin film on a plastic substrate

〇Toshifumi Imajo^1,2, Kenta Moto^1,2, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:Ge, Solid-phase crystallization, Flexible

高機能デバイスの実現を目指し、絶縁基板上にGe薄膜を形成する研究が活発化している。我々はガラス基板上において、従来の固相成長法を高度化することにより、低温合成膜の最高移動度を更新し続けてきた。今回、本法のプラスチック上展開を検討した結果、ガラス基板上と遜色ない結晶性を有するGe薄膜の合成に成功した。更に、ポストアニールによるGe空孔欠陥の補償を重畳することで、最高移動度の更新を達成した。