[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [18a-E304-8] ガラス上Asドープ非晶質Geの固相成長による高電子移動度の実証

〇斎藤 聖也¹、茂藤 健太¹、西田 竹志¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院)

キーワード：ゲルマニウム、薄膜半導体、固相成長