[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [18a-E304-9] 【注目講演】プラスチック上Ge薄膜の直接合成と高正孔移動度(670 cm²/Vs)実証

〇今城 利文^1,2、茂藤 健太^1,2、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学 数理物質、2.学振特別研究員)

キーワード：Ge、固相成長、フレキシブル

高機能デバイスの実現を目指し、絶縁基板上にGe薄膜を形成する研究が活発化している。我々はガラス基板上において、従来の固相成長法を高度化することにより、低温合成膜の最高移動度を更新し続けてきた。今回、本法のプラスチック上展開を検討した結果、ガラス基板上と遜色ない結晶性を有するGe薄膜の合成に成功した。更に、ポストアニールによるGe空孔欠陥の補償を重畳することで、最高移動度の更新を達成した。