[18a-E307-1~8] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[18a-E307-1] Ir触媒からの単層カーボンナノチューブ成長：触媒膜厚依存性

〇丸山 隆浩¹、岡田 拓也¹、カマル サラマ¹、鈴木 智子¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：カーボンナノチューブ、化学気相成長法、触媒

Ir触媒を用いた単層カーボンナノチューブ（SWCNT)成長において，Ir触媒膜厚がSWCNT成長に与える影響について調べた。Ir触媒膜厚が0.2 nm以下の場合は，直径1 nm程度以下の細径SWCNTが成長するのに対し，0.4 nm以上では直径が主に1 nm以上に分布し太くなることがわかった。触媒粒径とSWCNT直径の関係について議論する予定である。