[18a-E307-1~8] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

△ [18a-E307-7] 層流によるCNT合成に及ぼすSiO2/Si基板表面状態の影響

〇(M1)渡邊 健太郎¹、菊池 優¹、松尾 奏¹、藤森 利彦²、日方 威²、大久保 総一郎²、増田 秀樹¹、伊藤 良一¹、藤田 淳一¹ (1.筑波大数理、2.住友電工)

キーワード：カーボンナノチューブ

カーボンナノチューブ(CNT)を次世代線材応用するには、高品質かつ長尺なCNTを合成する必要がある。我々は、上記要請を満たす手法としてガス層流を用いたFB(Floating Bridge)法を報告してきた。しかし、層流中でのCNT成長の様子がよくわかっていない。本研究では、CNT初期成長の核移動メカニズムを検証するために、基板表面の粗さと浸炭鉄微粒子の移動との関連を調べたので報告する。