2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月18日(水) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

船戸 充(京大)、齋藤 義樹(TSオプト)

09:00 〜 09:15

[18a-E310-1] ガイド層を有するUVB発光素子のサブピーク解析

〇(D)佐藤 恒輔1,2、安江 信次2、荻野 雄矢2、田中 隼也2、岩谷 素顕2、竹内 哲也2、上山 智2、赤﨑 勇2,3 (1.旭化成、2.名城大学、3.名古屋大学)

キーワード:窒化物、レーザ、ダイオード

我々は昨年、p-AlGaN上部クラッド層の構造・成長条件を最適化し、ガイド層を有するUVB発光素子において電流密度 41.2 kA/cm2に相当する電流を流すことに成功している。しかし、端面からの発光は井戸層発光(波長300 nm)とサブピーク発光(波長275 nm)のダブルピークとなっており、キャリア注入効率が低い可能性が示唆された。本発表では発光素子の構造検討により、サブピーク発光の発光メカニズムを明確化し、その光学特性を評価したので報告する。