[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-E310-4] エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製

〇酒井 忠慶¹、久志本 真希¹、本田 善央^2,3、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大高等研究院、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：窒化物半導体、AlGaN、レーザーダイオード

本研究では従来の劈開法と異なり、エッチング法を用いたAlGaNファブリ-ペローレーザーの作製プロセスを提案する。まず初めにドライエッチングにより共振器端面を露出し、TMAHによるAlGaNウェットエッチング処理を行った。その結果、ドライエッチング直後の共振器面と比較して垂直な共振器面の作製が可能となり、光学特性評価よりAlGaNレーザーの発振閾値低減に有効な手法であることが示された。