[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-7] MOVPE成長AlN膜をアニールしたテンプレート上へのAlGaN成長

〇窪谷 茂幸¹、手銭 雄太¹、上杉 謙次郎¹、則松 研二¹、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3 (1.三重大地域創生戦略企画室、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：窒化物半導体、AlN、AlGaN