2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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[18a-E318-1~14] 【CS.7】 7.2 電子ビーム応用、7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:45 E318 (E318)

橘田 晃宜(産総研)、川久保 貴史(香川高専)

10:45 〜 11:00

[18a-E318-8] Co2MnGa<100>エミッタからの電界放出電子のスピン偏極度

永井 滋一1、池水 大夢1、畑 浩一1 (1.三重大院工)

キーワード:電界放出型電子源、ハーフメタル、ホイスラー合金

高スピン偏極度の電界放出型電子源の開発を目的に,ハーフメタル特性が理論予測されているホイスラー合金Co2MnGaエミッタを作製し,電界放出電子のスピン偏極度を評価した.作製したエミッタ表面を水素誘起電界蒸発によって清浄化し,電界イオン顕微鏡によって良く定義されたCo2MnGa(100)面からの電界放出電子のスピン偏極度が60-70%であることを明らかにした.この値は,Co2MnGa(100)表面の電子状態密度の第一原理計算によって予測される値と一致することが判明した.