[18a-PA5-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[18a-PA5-8] 微結晶シリコン光変調器における積層構造の設計

〇中島 雪暢¹、庄司 雄哉¹、武井 亮平²、水本 哲弥¹、亀井 利浩² (1.東工大、2.産総研)

キーワード：シリコンフォトニクス、光変調器

光変調器のオンチップ光配線の実現においてバックエンドプロセスでのLSI上の三次元集積が有効となる。a-Si:Hやポリシリコンを用いた報告例もあるが、a-Si:Hは導電率が低く、ポリシリコンは高温処理を必要とする。そこで本研究グループでは微結晶シリコン(µc-Si:H)を用いた光変調器を提案する。µc-Si:Hは低温堆積でき、a-Si:Hと比べ導電率が高い。またドーピングを堆積時に容易に行える。本研究では光変調器を実現する導波路構造を数値計算により検討した。