[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-19] RF-MBE法による立方晶GaN中間層を用いたInNナノコラムの成長

〇大沼 力也¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：ナノコラム、分子線エピタキシー、窒化インジウム