[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-2] Evaluation of dislocations in AlN single crystal using X-ray topography in reflection and transmission mode

〇Yongzhao Yao¹, Yoshihiro Sugawara¹, Yukari Ishikawa¹, Narihito Okada², Kazuyuki Tadatomo² (1.JFCC, 2.Yamaguchi Univ.)

Keywords:AlN, dislocation, XRT

窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板における転位の評価は、結晶成長やパワーデバイス・深紫外発光デバイスの故障解析の観点から重要である。我々は前回まで、X線トポグラフィ（XRT）およびエッチピット法を用いてAlN基板の転位種類とその面内分布を調査した[1,2]。本発表では、反射XRTに加えて透過XRTを用いることで、結晶内部の転位種類と3D形態を評価した。