[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-20] GaN V溝構造を下地層とした立方晶InNナノワイヤの作製

〇西村 裕介¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：窒化インジウム、ナノワイヤ、アニール

立方晶InNナノワイヤについて形成密度やアスペクト比などの構造パラメータを制御するための試みとして、GaN膜表面に形成した規則的なV溝構造を利用し、自己組織化ナノワイヤの作製を行った。V溝構造は1000℃の高温アニールを行うことで作製し、その後InNを2.4 nm堆積させた。その結果、ワイヤ状のInNがV溝構造の溝部に沿って選択的に成長している様子が確認された。平均アスペクト比は約2.4であった。