[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-21] Optical characteristics of high-In-composition GaInN MQWs grown by RF-MBE

〇(M1)Ryosuke Yoshida¹, Yusuke Nakajima, Hiroki Hirukawa¹, Soichiro Ono¹, Tomohiroi amaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:MQWs, GaInN

GaInNを用いたRGB LEDモノリシック構造はスマートフォン用LEDディスプレイへの応用に期待されている．しかし，青，緑発光LEDに用いられるGaInN/GaN 多重量子井戸構造を赤色発光のための高In組成のGaInNに用いた場合，歪量子井戸による量子閉じ込めシュタルク効果によって内部量子効率が著しく低下する．よって高In組成Ga_1-xInN_x/Ga_1-yInN_y多重量子井戸構造を提案するとともに本研究ではその構造の成長温度依存性について光学測定を用いて評価するとともに赤色発光を観測することが目的である．