[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-26] Growth temperature dependence oh InN grown on a glass substrate
by Radio Frequency - Molecular Beam Epitaxy

〇(M1)Shota Matsuo¹, Masataka Toki¹, Hiroki Yamaki¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:molecular beam epitaxy, glass substrate, InN

窒化物半導体であるInNは高い電子移動度と飽和電子速度を持つため、高速・高周波デバイスへの応用に期待されている。そして、ガラス基板には安価で、透明、耐熱性に優れているという特長がある。そこで、本研究では、ガラス基板上にInNを成長した。その結果、c面サファイア基板上に成長したInNと同程度の移動度を持つInNを得られたので報告する。