[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-27] 高温InNバッファ層を用いたガラス基板上InNのRF-MBE二段階成長

〇土岐 真聖¹、松尾 翔太¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：窒化インジウム、ガラス基板上

RF-MBE法を用いて、石英ガラス基板上にInNを成長した。まずは、成長温度430 ℃で、300 nmのInNを直接成長した。c軸配向性を示すピークのInN (0002)とInN (0004)の他に、InN (10-13)のピークが観測された。600 ℃で成長した10 nmのInNをバッファ層として、430 ℃で300 nm のInNを本成長した。高温バッファ層を用いる事により、InN (10-13)のピークは抑制でき、c軸配向性の向上を確認した。また、430 ℃で直接成長したInNよりも半値幅(FWHM)の減少も確認した。