[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-28] RF-MBE法で低温成長したガラス基板上InAlNの抵抗率の温度特性

〇山木 大樹¹、伊藤 大貴¹、清水 利玖¹、木内 翔太¹、足立 美紀²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.三菱マテリアル)

キーワード：半導体、InAlN、MBE

現在、抵抗率が負の温度係数を持つ NTC サーミスタは酸化物が主流であり、窒化物サーミスタを目指す研究は行われてこなかった。しかしながら、窒化物半導体の方が、高温熱応答性やフレキシブル性などに優れているため、幅広い分野での応用が可能になる。InAlN は 0.65 ~ 6.2 eVの非常に幅広いバンドギャップエネルギーを持ち、発光デバイスや電子デバイスなどへの応用が行われてきた。本研究では、サーミスタ応用に向けて、ガラス基板上に InAlN を成長した。そして、抵抗率の温度依存性を測定することにより、B 定数に Al 組成が与える影響を評価した。