[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-PB3-29] PSS上に形成した量子殻LEDの光学シミュレーション

〇寺澤 美月¹、大矢 昌輝^1,3、飯田 一喜^1,3、曽根 直樹^1,4、後藤 七美¹、村上 ヒデキ¹、岡本 悠¹、Lu Weifang¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.豊田合成株式会社、4.株式会社小糸製作所)

キーワード：ナノワイヤ、シミュレーション、光取り出し効率

Ⅲ族窒化物を用いた量子殻LEDはm面に三次元の活性域を有し、従来のⅢ族窒化物LEDより高効率・高出力の発光デバイスが期待されている。これまでの知見で、FDTD、Ray Tracingを組み合わせたシミュレーション結果では、n-GaN電流拡散層で量子殻構造を埋め込むと、LEEが改善することがわかった。そこで、シミュレーションモデルに、PSS構造を導入したところ、優れた効果が得られたので報告する。