[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-3] UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅰ）

〇長田 拓也¹、岩元 正紀¹、福田 直樹¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化アルミニウム、スパッタ

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，Ⅲ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行っている．これまで，金属Gaターゲットを用いたGaN層の成長において，反応ガスのN₂/Arガス混合比と基板温度の両方が低い領域では，GaN層の表面に金属Gaドロップレットが見られた．また，基板温度の上昇に伴い，二次元的な成長から三次元的な成長に遷移することが解った．今回は，基板温度を広い範囲で変化させてAlN層の成長を行い，その成長メカニズムについて検討したので報告する．