[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-4] UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅱ）

〇岩元 正紀¹、長田 拓也¹、福田 直樹¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化アルミニウム、スパッタ

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法によるⅢ族窒化物半導体の成長において，その成長条件と得られる結晶品質の関係について検討を行っている．前回は，α－Al₂O₃(0001)基板上に成長したGaN層の成長において，反応ガスに用いたN₂ガス及びArガスの混合比について検討を行い，その精密な制御が重要であることを報告した．今回はAlN層の成長において，反応ガスの混合比と得られる結晶品質の関係について検討を行ったので，その結果について報告する．