[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-42] Fabrication of tunneling junction LED with heavily Ge doped GaN

〇Shinjiro Fujiwara¹, Masanori Shirai², Satoru Takasawa², Hiroto Sekiguchi^1,3 (1.Toyohashi Tech., 2.ULVAC,Inc., 3.JST PRESTO)

Keywords:semiconductor, Nitride, Optical device

トンネル接合コンタクト技術は抵抗の低減や光吸収損失の低減，アノードカソードで共通電極を用いることによるプロセスの簡便化が可能である。トンネル接合形成後に活性化処理が必要とならないスパッタ法による n+-GaN 成膜に着目した。高濃度 GaN:Ge スパッタ薄膜を用いたトンネル接合LEDを作製した。電流－電圧特性では 高Ge 濃度LED 試料において立ち上がり電圧が低い傾向を示し、トンネル接合コンタクトを用いた LED が実現されたことが示された。