[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-43] 窒化物半導体を用いた熱電子放出素子の開発

〇吉田 学史¹、木村 重哉¹、内田 翔太²、荻野 明久² (1.(株)東芝、2.静大院工)

キーワード：熱電子放出、窒化物半導体

窒化物半導体であるAlGaNは直接遷移型のバンド構造を有するワイドバンドギャップ半導体であり、光デバイスやパワーデバイスへ応用されている。また、AlGaNは高温環境にも耐性があり、n型化しやすく、バンドエンジニアリングができる材料である。以上のことから、AlGaNは熱電子放出素子に応用できる可能性がある。本報告では、SiドープAlGaNの熱電子放出特性を調査した結果について報告する。