[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-47] NiO/InGaN/n-GaN光陽極の光水分解時の安定性

〇熊倉 一英¹、渦巻 裕也²、小野 陽子²、小松 武志²、西中 淳一¹ (1.NTT物性研、2.NTT先デ研)

キーワード：光水分解、InGaN、NiO助触媒

太陽光を利用した光水分解において、窒化物半導体は、その混晶組成により赤外から紫外域の光を吸収することが可能であるため、光陽極の光吸収層として有望な材料である。これまで我々は、AlGaNおよびInGaN系光陽極を用いた光水分解において、高効率で長寿命な水素・酸素発生の検討を行ってきた。今回、InGaN系光陽極の安定性に関し、評価・検討したので報告する。