[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-5] UHVスパッタエピタキシー法によるAlN層の成長（Ⅲ）

〇福田 直樹¹、長田 拓也¹、岩元 正紀¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化アルミニウム、スパッタ

我々は，UHV高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，Al₂O₃基板上へのGaN系単結晶層の成長を行っている．これまで，基板温度やN₂/Arガス混合比を変化させてAl₂O₃基板上に直接成長した単結晶層の品質について検討を行ってきた．今回は，成長時のガス圧力を変化させてAlN層の成長を行い，表面形態や結晶性に与える影響について検討を行ったので，その結果について報告する．