[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18p-B11-12] HBr中性粒子ビームによるGe原子層無欠陥エッチングの検討

〇大堀 大介¹、藤井 拓也¹、野田 周一²、水林 亘²、遠藤 和彦^1,2、Li Yiming⁴、Lee Yao-Jen⁵、尾崎 卓哉¹、寒川 誠二^1,2,3 (1.東北大流体研、2.産総研、3.東北大AIMR、4.NCTU、5.NDL)

キーワード：中性粒子ビームエッチング、Ge Fin構造

Siプレーナ形MOSトランジスタの短チャネル効果によるゲート長の微細化の限界により3次元Fin型電界効果トランジスタ構造が用いられている。さらにより高いキャリア移動度をもつGeを従来のSiと置き換えることで更なる高性能化が期待される。本研究では、NBエッチングにおいてHBrガスを採用することで、原子層で欠陥がなく平坦なGe Fin構造の形成に必要不可欠なより高い選択性と垂直性を実現できることを明らかにした。