[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18p-B11-13] 新電解めっき技術による微細Cu配線の埋込技術の研究

〇岩津 春生¹ (1.熊本大先)

キーワード：電解めっき、配線、結晶

半導体集積回路のCu配線抵抗を下げるには、配線結晶を大きくし粒界での電子散乱機会を減らす必要がある。従来微細配線溝へ埋め込む為のめっき液添加剤は結晶成長を妨げ、めっき後成長させるための熱アニールはストレスを生み信頼性の懸念がある。そこで添加剤フリーで結晶粒を大きく成長させながら微細溝へ埋込を実現できる新電解めっき技術を研究したので報告する。