The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-B31-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Wed. Sep 18, 2019 1:15 PM - 6:00 PM B31 (B31)

Kouichi Akahane(NICT), Sachie Fujikawa(Tokyo Denki University), Nobuaki Kojima(Toyota Tech. Inst.)

5:45 PM - 6:00 PM

[18p-B31-16] Thermodynamic analysis for Ⅲ-nitride semiconductors nonpolar planes during MOVPE

Tsunashi Shimizu1, Yuki Seta1, Abdul Muizz Pradipto1, Toru Akiyama1, Kohji Nakamura1, Tomonori Ito1, Akira Kusaba2, Yoshihiro Kangawa3,4 (1.Mie Univ., 2.Gakushuin Univ., 3.Kyushu Univ., 4.Nagoya Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, First-principles calculation, thermodynamic analysis

窒化物半導体は発光デバイスへの応用が期待されているが、c軸に沿った内部電界の影響によりその発光効率が低下するという問題点がある。そこで、c軸から成長方向を傾けた無極性面を成長面とした結晶成長が注目を集めている。本研究では、MOVPE条件下における結晶成長を理論的に議論するために、第一原理計算に基づき算出された表面エネルギーを熱力学的に解析する手法を用いて、成長条件と極性との関係性を議論する。