[18p-B31-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-B31-16] Thermodynamic analysis for Ⅲ-nitride semiconductors nonpolar planes during MOVPE

〇Tsunashi Shimizu¹, Yuki Seta¹, Abdul Muizz Pradipto¹, Toru Akiyama¹, Kohji Nakamura¹, Tomonori Ito¹, Akira Kusaba², Yoshihiro Kangawa^3,4 (1.Mie Univ., 2.Gakushuin Univ., 3.Kyushu Univ., 4.Nagoya Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, First-principles calculation, thermodynamic analysis

窒化物半導体は発光デバイスへの応用が期待されているが、c軸に沿った内部電界の影響によりその発光効率が低下するという問題点がある。そこで、c軸から成長方向を傾けた無極性面を成長面とした結晶成長が注目を集めている。本研究では、MOVPE条件下における結晶成長を理論的に議論するために、第一原理計算に基づき算出された表面エネルギーを熱力学的に解析する手法を用いて、成長条件と極性との関係性を議論する。