[18p-B31-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-B31-3] Direct GaAs growth on SOI substrate and its crystal quality evaluation

〇JINKWAN KWOEN¹, KATSUYUKI WATANABE¹, YASUHIKO ARAKAWA¹ (1.NanoQuine, U. Tokyo)

Keywords:heteroepitaxy, MBE, SOI substrate

シリコンフォトニクス用高効率光素子のモノリシックな集積のため、III-V 属半導体の Si 基板 上直接成長がなされてきた。我々は Si (001) Just 基板上の高品質 GaAs の直接成長及び高性能 光素子の開発が報告してきた。しかし、シリコンフォトニクス技術の母基板となる SOI(Silicon-on-insulator)基板上への直接成長は、その多層構造から起因する諸問題により実現 されていない。今回、我々は SOI 基板の温度制御法を具体化する一方、今までのシリコン基板上 GaAs 成長を SOI 基板に適用することで、GaAs 層での APB (Anti-phase boundary) の密度低減 に成功したので報告する。