[18p-B31-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-B31-6] Growth of self-assembled quantum dot by P-As interdiffusion on InP(311)B substrates

〇Kouichi Akahane¹, Atsushi Matsumoto¹, Toshimasa Umezawa¹, Naokatsu Yamamoto¹ (1.NICT)

Keywords:Quantum dot, Self-assembling, Molecular beam epitaxy

S-Kモードを用いた自己形成量子ドットはIII-V族化合物半導体で盛んに研究され、量子ドットのサイズ、密度、発光波長などの制御について様々な手法が開発されている。本研究ではこれまでの自己形成量子ドットの手法とは異なるV族原子の相互拡散による量子ドットの形成法を検討したのでこれを報告する。